TRANSISTOR RJP30E2DPP-MO
SKU: TRANRJP30E2DPPMO
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El RJP30E2 es un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta velocidad diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia. Combina la alta impedancia de entrada de un MOSFET con la capacidad de manejo de corriente de un transistor bipolar, ofreciendo bajas pérdidas y excelente eficiencia.
- 📌 Tipo: TO-220FL (Full Mold)
- 📌 Terminales: 3 pines
- 📌 Montaje: Through Hole (THT)
- 📌 Aislado eléctricamente del disipador