TRANSISTOR SW50N06 MOSFET CANAL N 60V 50A
El SW50N06 (MOSFET N 60 V / 50 A, baja RDS(on)) se usa sobre todo en equipos donde hay 12–48 V y se conmutan corrientes altas (motores, bobinas, transformadores de SMPS) o donde se arma un half-bridge/full-bridge. Con eso en mente, los aparatos típicos donde lo vas a ver (o uno muy equivalente) son:
Balastros electrónicos para lámparas fluorescentes / HID (justo el tipo de aplicación que menciona el datasheet: resonant half-bridge/full-bridge).
Fuentes conmutadas (SMPS) de baja/mediana potencia: cargadores, fuentes para tiras LED, fuentes para equipos de telecom, etc. (especialmente si trabajan con bus de 24–48 V).
Drivers de motor DC (PWM):
ventiladores/centrífugos DC,
bombas de agua DC,
actuadores lineales,
carritos/scooters pequeños (en etapas de potencia de bajo voltaje).
Controladores de tiras LED de alta corriente (dimmers potentes, drivers PWM para iluminación automotriz/industrial a 12–24 V).
Inversores y convertidores DC-DC en rangos bajos: elevadores/step-up (12→24/48), buck potentes, convertidores para amplificadores de auto, UPS/inversores pequeños (en el lado de baja tensión).
Etapas de potencia en car-audio / amplificadores clase D (normalmente en la fuente conmutada interna o en conmutación de salida, según diseño).
Electrónica automotriz (12 V): módulos PWM de cargas (luces, resistencias, solenoides), aunque en autos modernos a veces migran a MOSFETs “automotive grade”.
Características técnicas clave
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VDS (VDSS): 60 V
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ID continuo: 50 A @ Tc=25°C ; 35 A @ Tc=100°C
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ID pulso (IDM): 200 A
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VGS máx: ±20 V
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Potencia (PD): 130 W @ Tc=25°C
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Temperatura de juntura (TJ): -55 a +150°C
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Conducción (lo que más importa en pérdidas por “calentamiento”)
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RDS(on): típ 0.018 Ω, máx 0.023 Ω (a VGS=10 V, ID=25 A)
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VGS(th): 2.0 a 4.0 V (ojo: umbral, no “nivel lógico”)
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Conmutación (pérdidas por “switching”)
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Qg (carga de compuerta): típ 30 nC, máx 40 nC (VDS=48 V, VGS=10 V, ID=50 A)
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Capacitancias (típ): Ciss 900 pF, Coss 430 pF, Crss 80 pF
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Tiempos (típ / máx):
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td(on) 40/60 ns
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tr 100/200 ns
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td(off) 90/180 ns
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tf 80/160 ns
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Diodo interno (body diode)
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VSD máx 1.5 V (IS=50 A, VGS=0)
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trr típ 54 ns, Qrr típ 81 µC (condiciones del datasheet)
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dv/dt de recuperación del diodo: 7 V/ns
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Robustez y térmicas
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EAS (avalancha, pulso único): 480 mJ
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RθJC (juntura-carcasa): 1.15 °C/W