TRANSISTOR BJT D1062 NPN 50V 12A TRAN2SD1062
Transistor BJT 2SD1062 NPN 50V 12A Encapsulado TO-220
El 2SD1062 es un transistor bipolar de potencia (BJT) tipo NPN, desarrollado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Fabricado con tecnología de silicio epitaxial planar, ofrece una baja tensión de saturación (Low VCE(sat)), alta capacidad de corriente y una amplia Área Segura de Operación (ASO), lo que proporciona mayor confiabilidad en aplicaciones de potencia.
Gracias a su encapsulado TO-220AB, proporciona una excelente disipación térmica al instalarse sobre un disipador de calor. Es ampliamente utilizado en drivers de relevadores, convertidores DC-DC, inversores, fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motores y equipos electrónicos industriales. Además, es el complemento PNP del 2SB826.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD1062 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicio epitaxial planar |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 50 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 12 A |
| Corriente de pulso (ICP) | 15 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 40 W (Tc = 25 °C) |
| Potencia de disipación al aire libre | 1.75 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 70 – 400 |
| Frecuencia de transición (fT) | 10 MHz (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 0.4 V máximo |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Complementario | 2SB826 (PNP) |
