TRANSISTOR BJT A1106 PNP 140V 10A
SKU: TRAN2SA1106
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Transistor BJT PNP 2SA1106 140V 10A 100W Encapsulado TO-3P / TO-3PN
El 2SA1106 es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo PNP de potencia, fabricado en silicio y diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de alta fidelidad, convertidores DC-DC y fuentes de alimentación. Ofrece alta capacidad de corriente, excelente disipación térmica y una respuesta lineal, siendo el complemento ideal del transistor 2SC2581 en etapas de salida de potencia.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SA1106 |
| Tipo | Transistor BJT de potencia |
| Polaridad | PNP |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | TO-3P / TO-3PN (SC-65) |
| Voltaje colector-base (VCBO) | -200 V |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | -140 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | -6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | -10 A |
| Potencia máxima de disipación (PC) | 100 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 50 a 180 |
| Frecuencia de transición (fT) | 20 MHz |
| Capacitancia de salida (Cob) | 400 pF (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | ≤ 1.5–2.0 V |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Número de terminales | 3 |
| Complementario | 2SC2581 |
