TRANSISTOR BJT 2SA1170 PNP 200V 17A TRAN2SA1170
SKU: TRAN2SA1170
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Transistor BJT PNP 2SA1170 200V 17A 200W Encapsulado MT-200
El 2SA1170 es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo PNP de potencia, fabricado en silicio y diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de alta fidelidad, fuentes de alimentación e inversores de potencia. Gracias a su alta capacidad de corriente, elevada disipación térmica y excelente linealidad, es ampliamente utilizado en etapas de salida de amplificadores profesionales. Es el complemento del 2SC2774.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SA1170 |
| Tipo | Transistor BJT de potencia |
| Polaridad | PNP |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | MT-200 |
| Voltaje colector-base (VCBO) | -200 V |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | -200 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | -6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | -17 A |
| Corriente máxima de base (IB) | -5 A |
| Potencia máxima de disipación (PC) | 200 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 20 a 140 |
| Frecuencia de transición (fT) | 20 MHz |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 2.5 V máx. |
| Capacitancia de salida (Cob) | 500 pF máx. |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Número de terminales | 3 |
| Complementario | 2SC2774 |
