TRANSISTOR IGBT RJP63F3DPP-M0 CANAL N 630V 40A
SKU: TRANRJP63F3DPPM0
$90.00Precio
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El RJP63F3 es un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potencia fabricado por Renesas Electronics, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Combina la alta impedancia de entrada de un MOSFET con la baja caída de tensión de un transistor bipolar, permitiendo controlar cargas de alta potencia con mínimas pérdidas.
Es ampliamente utilizado en:
- Fuentes conmutadas (SMPS)
- Inversores de potencia
- Control de motores
- Hornos de inducción
- Equipos UPS
- Convertidores DC-AC
- Sistemas de energía industrial
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | IGBT |
| Modelo | RJP63F3 |
| Fabricante | Renesas |
| Encapsulado | TO-220FL |
| Polaridad | N-Channel IGBT |
| Voltaje Colector-Emisor (Vces) | 360 V |
| Corriente Colector Continua (Ic) | 30 A |
| Corriente Pulsada (Icp) | 60 A |
| Potencia Disipada (Pd) | 40 W |
| Temperatura de Operación | -55°C a +150°C |
| Frecuencia de Conmutación | Alta velocidad |
| Protección | Alta capacidad contra avalancha |
