TRANSISTOR IGBT IRG7R313U CANAL N SMD 330V 40A TRANIRG7R313U
SKU: TRANIRG7R313U
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Transistor IGBT IRG7R313U Canal N 330V 40A Encapsulado DPAK (TO-252)
El IRG7R313U es un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de Canal N fabricado con tecnología Advanced Trench IGBT, optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y elevada eficiencia energética. Soporta hasta 330 V y 40 A de corriente continua, ofreciendo una baja tensión de saturación VCE(on) para reducir pérdidas de potencia. Su encapsulado DPAK (TO-252) para montaje superficial (SMD) facilita diseños compactos y una excelente disipación térmica. Es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación, inversores, controladores industriales y circuitos de recuperación de energía.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | IRG7R313U / IRG7R313UPbF |
| Tipo | IGBT de Potencia |
| Canal | N |
| Tecnología | Advanced Trench IGBT |
| Encapsulado | DPAK (TO-252AA) |
| Montaje | SMD |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje colector-emisor (VCE) | 330 V |
| Voltaje compuerta-emisor (VGE) | ±30 V |
| Corriente continua de colector (IC) | 40 A (Tc = 25 °C) |
| Corriente continua a 100 °C | 20 A |
| Corriente pico repetitiva (IRP) | 160 A |
| Potencia máxima de disipación | 78 W |
| Voltaje de saturación VCE(on) | 1.35 V típico @ 20 A |
| Capacitancia de salida (Coes) | 47 pF |
| Temperatura de operación | -40 °C a +150 °C |
| Resistencia térmica unión-carcasa | 1.6 °C/W |
