TRANSISTOR MOSFET IRF3710PBF CANAL N 100V 57A TRANIRF3710PBF
SKU: TRANIRF3710PBF
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Transistor MOSFET IRF3710PBF Canal N 100V 57A Encapsulado TO-220AB
El IRF3710PBF es un transistor MOSFET de potencia Canal N fabricado con tecnología HEXFET®, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta eficiencia. Soporta un voltaje máximo de 100 V, una corriente continua de hasta 57 A y ofrece una baja resistencia en conducción (RDS(on) de 23 mΩ), lo que reduce las pérdidas de potencia y el calentamiento del dispositivo. Es ideal para fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC, inversores, controladores de motores, UPS, cargadores de baterías y sistemas industriales de potencia. Su encapsulado TO-220AB facilita el montaje sobre disipadores para un excelente manejo térmico.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | IRF3710PBF |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | N |
| Tecnología | HEXFET® |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDS) | 100 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGS) | ±20 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 57 A (Tc = 25 °C) |
| Corriente de drenador a 100 °C | 40 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 200 W |
| Resistencia RDS(on) | 23 mΩ máx. |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 2 – 4 V |
| Carga total de compuerta (Qg) | 130 nC |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 3130 pF |
| Temperatura de operación | -55 °C a +175 °C |
| Resistencia térmica unión-carcasa | 0.75 °C/W |
