TRANSISTOR MOSFET K3569 CANAL N 600V 10A TRAN2SK3569
SKU: TRAN2SK3569
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Transistor MOSFET K3569 Canal N 600V 10A Encapsulado TO-220F
El 2SK3569 (K3569) es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alto voltaje. Proporciona una excelente combinación de 600 V de tensión, 10 A de corriente, baja resistencia de conducción (RDS(on)), rápida velocidad de conmutación y alta capacidad de disipación térmica. Su encapsulado TO-220F totalmente aislado facilita el montaje directo sobre disipadores, siendo ideal para fuentes conmutadas, inversores, UPS, balastros electrónicos y equipos industriales.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SK3569 / K3569 |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Polaridad | Canal N |
| Tecnología | Enhancement Mode |
| Encapsulado | TO-220F (TO-220FP / SC-67) |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDS) | 600 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGS) | ±30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 10 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 40 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 45 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 0.54 Ω |
| Resistencia RDS(on) máxima | 0.75 Ω |
| Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)) | 2.0 a 4.0 V |
| Transconductancia (Yfs) | 8.5 S típica |
| Energía de avalancha (EAS) | 363 mJ |
| Energía de avalancha repetitiva (EAR) | 4.5 mJ |
| Corriente de fuga (IDSS) | 100 μA máx. |
| Temperatura de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Configuración de terminales | Gate – Drain – Source (G-D-S) |
