TRANSISTOR MOSFET IRF2807 CANAL N 75V 82A TRANIRF2807
SKU: TRANIRF2807
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Transistor MOSFET IRF2807 Canal N 75V 82A Encapsulado TO-220AB de Baja Resistencia RDS(on)
El IRF2807 es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado con tecnología HEXFET®, diseñado para aplicaciones de alta corriente y alta eficiencia. Soporta un voltaje drenador-fuente de 75 V, una corriente continua de hasta 82 A y presenta una muy baja resistencia RDS(on) de solo 13 mΩ, reduciendo significativamente las pérdidas por conducción. Es ideal para fuentes conmutadas, inversores, convertidores DC-DC, controladores de motores, UPS, cargadores de baterías y sistemas automotrices e industriales. Su encapsulado TO-220AB permite una excelente disipación térmica mediante disipador de calor.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | IRF2807 |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | N |
| Tecnología | HEXFET® |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDS) | 75 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGS) | ±20 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 82 A (Tc = 25 °C) |
| Corriente de drenador a 100 °C | 58 A |
| Corriente pulsada (IDM) | 280 A |
| Resistencia RDS(on) | 13 mΩ máx. |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 230 W |
| Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)) | 2 – 4 V |
| Carga total de compuerta (Qg) | 160 nC máx. |
| Temperatura de operación | -55 °C a +175 °C |
| Resistencia térmica unión-carcasa | 0.65 °C/W |
