TRANSISTOR IGBT RJP63K2DPP-M0-T2 CANAL N 630V 35A TRANRJP63K2DPPM0T2
SKU: TRANRJP63K2DPPM0T2
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Transistor IGBT RJP63K2DPP-M0 Canal N 630V 35A TO-220FL
El RJP63K2DPP-M0 es un transistor IGBT de canal N de alto desempeño desarrollado por Renesas Electronics, optimizado para aplicaciones de conmutación rápida en sistemas de potencia. Incorpora tecnología Trench Gate G6H-II de oblea delgada, que reduce las pérdidas de conducción y mejora la velocidad de conmutación. Su encapsulado TO-220FL totalmente aislado facilita el montaje sobre disipadores sin necesidad de aislantes adicionales, siendo ideal para inversores, fuentes conmutadas, equipos de soldadura, UPS y controladores de motores.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | RJP63K2DPP-M0 |
| Fabricante | Renesas Electronics |
| Tipo | IGBT Canal N |
| Tecnología | Trench Gate G6H-II |
| Encapsulado | TO-220FL totalmente aislado |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje colector-emisor (VCES) | 630 V |
| Corriente de colector (IC) | 35 A |
| Corriente pico de colector | 200 A |
| Voltaje compuerta-emisor (VGES) | ±30 V |
| Potencia de disipación | 25 W |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 2.4 V máx. (1.9 V típico) |
| Tiempo de subida (tr) | 60 ns típico |
| Tiempo de caída (tf) | 200 ns típico |
| Corriente de fuga (ICES) | 1 µA máx. |
| Temperatura de unión | 150 °C máx. |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Aislamiento | Encapsulado completamente aislado |
