TRANSISTOR MOSFET MTP50N06V CANAL N 60V 42A TRANMTP50N06V
SKU: TRANMTP50N06V
$45.00Precio
IVA incluido
Transistor MOSFET MTP50N06V Canal N 60V 42A Encapsulado TO-220AB
El MTP50N06V es un transistor MOSFET de potencia Canal N fabricado por onsemi, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y bajo voltaje. Gracias a su baja resistencia RDS(on) y alta capacidad de manejo de corriente, proporciona una elevada eficiencia energética y bajas pérdidas de conducción. Es ampliamente utilizado en fuentes conmutadas, convertidores DC-DC, controladores PWM, inversores, puentes H, cargadores de baterías y controladores de motores de corriente continua. Su encapsulado TO-220AB permite una excelente disipación térmica mediante disipador de calor.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | MTP50N06V |
| Fabricante | onsemi |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | N-Channel (Canal N) |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDSS) | 60 V |
| Voltaje drenador-gate (VDGR) | 60 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGS) | ±20 V (±25 V pulso) |
| Corriente continua de drenador (ID) | 42 A |
| Corriente de drenador a 100 °C | 30 A |
| Corriente de pulso (IDM) | 147 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 125 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 25 mΩ |
| Resistencia RDS(on) máxima | 28 mΩ |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 2.0 – 4.0 V |
| Transconductancia (gFS) | 23 S típica |
| Energía de avalancha (EAS) | 400 mJ |
| Carga total de compuerta (Qg) | 47 nC típica |
| Temperatura de unión | -55 °C a +175 °C |
| Resistencia térmica unión-carcasa | 1.2 °C/W |
