TRANSISTOR MOSFET K3599 CANAL N 100V 29A TRAN2SK3599
SKU: TRAN2SK3599
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Transistor MOSFET K3599 Canal N 100V 29A Encapsulado TO-220F
El 2SK3599 (K3599) es un MOSFET de potencia de canal N de alto rendimiento, diseñado para aplicaciones de conmutación de media tensión y alta corriente. Incorpora una muy baja resistencia de conducción (RDS(on)), rápida velocidad de conmutación y elevada capacidad de corriente, ofreciendo alta eficiencia energética y baja disipación de calor. Su encapsulado TO-220F totalmente aislado permite instalarlo directamente sobre disipadores sin necesidad de aislantes adicionales, siendo ideal para fuentes conmutadas, convertidores DC-DC, UPS e inversores.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SK3599 / K3599-01MR |
| Tipo | MOSFET de potencia |
| Polaridad | Canal N |
| Tecnología | Enhancement Mode |
| Encapsulado | TO-220F totalmente aislado |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDS) | 100 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGS) | ±30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 29 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 116 A |
| Corriente de avalancha (IAS) | 29 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 37 W |
| Resistencia RDS(on) máxima | 0.062 Ω |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 3 a 5 V |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Configuración de terminales | Gate – Drain – Source (G-D-S) |
