TRANSISTOR MOSFET TK5A50D CANAL N 500V 5A TRANMTP5A50D
SKU: TRANMTP5A50D
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Transistor MOSFET TK5A50D Canal N 500V 5A Encapsulado TO-220SIS
El TK5A50D es un transistor MOSFET de potencia Canal N fabricado por Toshiba, diseñado para aplicaciones de conmutación en fuentes de alimentación conmutadas y convertidores de potencia. Basado en la tecnología π-MOS VII, ofrece baja resistencia de conducción, rápida velocidad de conmutación y alta confiabilidad. Soporta un voltaje de 500 V y una corriente continua de 5 A, siendo ideal para fuentes SMPS, balastros electrónicos, inversores, cargadores y equipos industriales. Su encapsulado TO-220SIS (Full Pack) proporciona aislamiento eléctrico, simplificando el montaje sobre disipadores de calor.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | TK5A50D |
| Fabricante | Toshiba |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | N-Channel (Canal N) |
| Tecnología | π-MOS VII |
| Encapsulado | TO-220SIS (Full Pack) |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDSS) | 500 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGSS) | ±30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 5 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 20 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 35 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 1.3 Ω |
| Resistencia RDS(on) máxima | 1.5 Ω |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 2.4 a 4.4 V |
| Transconductancia (Yfs) | 3.0 S típica |
| Corriente de fuga (IDSS) | 10 µA máx. |
| Energía de avalancha (EAS) | 150 mJ |
| Carga total de compuerta (Qg) | 11 nC típica |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 490 pF típica |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
