TRANSISTOR MOSFET TK10A60D CANAL N 600V TRANMTP10A60D
SKU: TRANMTP10A60D
$118.00Precio
IVA incluido
Transistor MOSFET TK10A60D Canal N 600V 10A Encapsulado TO-220SIS
El TK10A60D es un transistor MOSFET de Canal N de potencia fabricado por Toshiba, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta eficiencia. Soporta hasta 600 V de voltaje drenador-fuente y 10 A de corriente continua, con una baja resistencia RDS(on) de 0.58 Ω (típica), lo que reduce las pérdidas de conducción. Es ideal para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC, inversores, UPS y equipos industriales. Su encapsulado TO-220SIS facilita la disipación de calor mediante disipador.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | TK10A60D |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | N-Channel (Canal N) |
| Tecnología | π-MOS VII |
| Encapsulado | TO-220SIS (TO-220 Full Pack) |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDSS) | 600 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGSS) | ±30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 10 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 40 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 45 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 0.58 Ω |
| Transconductancia (Yfs) | 6 S (típ.) |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 2.0 a 4.0 V |
| Corriente de fuga (IDSS) | 10 µA máx. |
| Energía de avalancha (EAS) | 363 mJ |
| Temperatura de unión | 150 °C máx. |
