TRANSISTOR MOSFET TK20A60U CANAL N 600V TRANMTP20A60U 20A
SKU: TRANMTP20A60U
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Transistor MOSFET TK20A60U Canal N 600V 20A Encapsulado TO-220SIS
El TK20A60U es un transistor MOSFET de potencia Canal N desarrollado por Toshiba, diseñado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta eficiencia. Incorpora tecnología DTMOS II, que proporciona baja resistencia en conducción (RDS(on)), alta velocidad de conmutación y excelente desempeño térmico. Con una capacidad de 600 V y 20 A, es ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, UPS, convertidores DC-DC, controladores industriales y equipos electrónicos de potencia. Su encapsulado TO-220SIS (Full Pack) ofrece aislamiento eléctrico para facilitar el montaje sobre disipadores sin necesidad de aislantes adicionales.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | TK20A60U |
| Fabricante | Toshiba |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | N-Channel (Canal N) |
| Tecnología | DTMOS II |
| Encapsulado | TO-220SIS (Full Pack) |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDSS) | 600 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGSS) | ±30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 20 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 40 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 45 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 0.165 Ω |
| Resistencia RDS(on) máxima | 0.19 Ω |
| Transconductancia (Yfs) | 12 S típica |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 3.0 a 5.0 V |
| Corriente de fuga (IDSS) | 100 µA máx. |
| Energía de avalancha (EAS) | 144 mJ |
| Carga total de compuerta (Qg) | 27 nC típica |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
