TRANSISTOR MOSFET STP6NA60 CANAL N 600V 6.5A TRANMTP6N60
SKU: TRANMTP6N60
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Transistor MOSFET STP6NA60 Canal N 600V 6A Encapsulado TO-220
El STP6NA60 es un MOSFET de potencia Canal N desarrollado por STMicroelectronics, optimizado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alto voltaje. Su tecnología de celdas de potencia proporciona una combinación de baja resistencia RDS(on), reducida carga de compuerta y alta capacidad de avalancha, ofreciendo una excelente eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas, inversores, controladores de motores y convertidores de potencia. Su encapsulado TO-220 permite una eficiente disipación térmica mediante disipador de calor.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | STP6NA60 |
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | N-Channel (Canal N) |
| Encapsulado | TO-220 |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDSS) | 600 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGSS) | ±30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 6.5 A |
| Corriente de pulso (IDM) | 26 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 75 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 1.0 Ω |
| Resistencia RDS(on) máxima | 1.2 Ω |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 2 a 4 V |
| Carga total de compuerta (Qg) | 54 nC típica |
| Energía de avalancha | 100% Avalanche Tested |
| Temperatura de unión | -65 °C a +150 °C |
