NTE191
El NTE191 es un transistor de potencia NPN de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en equipos electrónicos que requieren alta tensión y frecuencia media. Encapsulado en formato TO-202, ofrece una disipación de hasta 10 W, con una tensión colector–emisor máxima de 300 V y una corriente de colector continua de 0.5 A.
Gracias a su frecuencia de transición mínima de 45 MHz y su ganancia de corriente (hFE) de alrededor de 40, el NTE191 es adecuado para etapas de salida en televisores, circuitos de fuentes conmutadas, drivers de transistores de mayor potencia y otras aplicaciones donde se combine eficiencia energética y confiabilidad en operación a alta tensión.
Su encapsulado metálico con pestaña facilita la disipación de calor, permitiendo integrarlo en sistemas que demandan estabilidad térmica y operación continua dentro del rango de −55 °C a +150 °C.
Tipo: NPN
Voltaje Colector–Emisor, máx.: 300 V
Voltaje Colector–Base, máx.: 300 V
Voltaje Emisor–Base, máx.: 6 V
Corriente de Colector − Continua, máx.: 0.5 A
Disipación de Colector: 10 W
Ganancia de Corriente DC (hFE): 40
Frecuencia de Transición, mín.: 45 MHz
Rango de Temperatura de Operación y Almacenamiento de la Unión: -55 a +150 °C
Encapsulado: TO-202
