TRANSISTOR BJT 2SA1261 PNP 100V 10A TRAN2SA1261
SKU: TRAN2SA1261
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Transistor BJT PNP 2SA1261 100V 10A 80W Encapsulado MT-200
El 2SA1261 es un transistor bipolar de unión (BJT) de potencia tipo PNP, fabricado en silicio para aplicaciones de audio de alta fidelidad, fuentes de alimentación, reguladores y equipos electrónicos de potencia. Su encapsulado MT-200 proporciona una excelente disipación térmica y gran confiabilidad bajo cargas elevadas. Es ampliamente utilizado como transistor de salida en amplificadores de audio y es el complemento del 2SC3182.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SA1261 |
| Tipo | Transistor BJT de potencia |
| Polaridad | PNP |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | MT-200 |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | -100 V |
| Voltaje colector-base (VCBO) | -120 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | -5 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | -10 A |
| Potencia máxima de disipación (PC) | 80 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 55 a 160 |
| Frecuencia de transición (fT) | 30 MHz (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | ≤ 0.5 V |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Número de terminales | 3 |
| Encapsulado aislado | Sí |
| Transistor complementario | 2SC3182 |
