TRANSISTOR BJT B1626 DARLINGTON PNP 110V 6A TRAN2SB1626
SKU: TRAN2SB1626
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Transistor BJT Darlington PNP 2SB1626 / B1626 110V 6A 60W Encapsulado TO-3PF
El 2SB1626 (B1626) es un transistor BJT Darlington PNP de potencia, diseñado para aplicaciones de amplificación, regulación y conmutación electrónica. Gracias a su configuración Darlington ofrece una ganancia de corriente muy elevada (hFE), permitiendo controlar cargas de potencia con una corriente de base mínima. Su encapsulado TO-3PF (Full Mold, aislado) proporciona una excelente disipación térmica y facilita su montaje sobre disipadores sin necesidad de aislantes adicionales.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SB1626 (B1626) |
| Tipo | Transistor BJT Darlington de potencia |
| Polaridad | PNP |
| Tecnología | Silicio |
| Configuración | Darlington |
| Encapsulado | TO-3PF (aislado) |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | -110 V |
| Voltaje colector-base (VCBO) | -110 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | -7 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | -6 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 60 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 2,000 a 15,000 (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | ≤ 2.5 V |
| Frecuencia de transición (fT) | 25 a 30 MHz (típica) |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Número de terminales | 3 |
