TRANSISTOR BJT B649A PNP 160V 1.5A TRAN2SB649A
SKU: TRAN2SB649A
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Transistor BJT PNP 2SB649A 160V 1.5A Encapsulado TO-126
El 2SB649A es un transistor bipolar de unión (BJT) PNP de silicio, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de media potencia. Su capacidad para manejar 160 V y 1.5 A, junto con su encapsulado TO-126, lo hacen ideal para fuentes de alimentación, etapas driver, reguladores de voltaje, equipos de audio y circuitos industriales donde se requiere alta confiabilidad y estabilidad térmica.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SB649A |
| Tipo | Transistor BJT |
| Polaridad | PNP |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | TO-126 (TO-225AA) |
| Montaje | Through Hole (Orificio pasante) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | -160 V |
| Voltaje colector-base (VCBO) | -180 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | -5 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | -1.5 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 20 W (con disipador) |
| Ganancia de corriente (hFE) | 70 a 240 |
| Frecuencia de transición (fT) | 50 MHz (típica) |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
