TRANSISTOR BJT D1064 NPN 50V 12A TRAN2SD1064
Transistor BJT 2SD1064 NPN 50V 12A Encapsulado TO-3P
El 2SD1064 es un transistor bipolar de potencia (BJT) tipo NPN, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y baja tensión de saturación. Fabricado mediante tecnología de silicio epitaxial planar, ofrece una excelente capacidad para manejar cargas inductivas, alta resistencia al segundo rompimiento (Wide ASO) y una gran confiabilidad en aplicaciones de potencia.
Su encapsulado TO-3P proporciona una excelente disipación térmica, permitiendo trabajar con corrientes elevadas cuando se instala sobre un disipador adecuado. Es ampliamente utilizado en drivers de relevadores, convertidores DC-DC, inversores, fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motores y equipos industriales. Es el transistor complementario del 2SB828 (PNP).
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD1064 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicio epitaxial planar |
| Encapsulado | TO-3P |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 50 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 12 A |
| Corriente de pulso (ICP) | 15 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 80 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 70 – 400 |
| Frecuencia de transición (fT) | 10 MHz (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 0.4 V máximo |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Transistor complementario | 2SB828 (PNP) |
