TRANSISTOR BJT D1065 NPN 50V 15A 90W TRAN2SD1065
Transistor BJT 2SD1065 NPN 50V 15A 90W Encapsulado TO-3P El 2SD1065 es un transistor bipolar de potencia (BJT) tipo NPN, desarrollado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y alta velocidad. Fabricado con tecnología de silicio epitaxial planar, ofrece baja tensión de saturación (Low VCE(sat)), excelente capacidad para manejar cargas inductivas y una amplia Área Segura de Operación (Wide ASO), garantizando alta confiabilidad en aplicaciones de potencia. Su encapsulado TO-3P (TO-3PB) proporciona una excelente disipación térmica, permitiendo trabajar con corrientes elevadas cuando se instala sobre un disipador adecuado. Es ampliamente utilizado en drivers de relevadores, convertidores DC-DC, inversores de alta velocidad, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), controladores de motores y equipos industriales. Es el complemento PNP del 2SB829.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD1065 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicio epitaxial planar |
| Encapsulado | TO-3P / TO-3PB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 50 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 15 A |
| Corriente máxima de pulso (ICP) | 20 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 90 W (Tc = 25 °C) |
| Ganancia de corriente (hFE) | 70 – 400 |
| Frecuencia de transición (fT) | 20 MHz (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 0.5 V máximo |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Transistor complementario | 2SB829 (PNP) |
