TRANSISTOR IGBT RJH30E2 CANAL N 360V 30A TRANRJH30E2
SKU: TRANRJH30E2
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Transistor IGBT RJH30E2 Canal N 360V 30A TO-220FL
El RJH30E2 es un transistor IGBT de canal N de alta velocidad desarrollado por Renesas, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia en fuentes conmutadas, inversores, controladores de motores y equipos industriales. Incorpora tecnología Trench Gate y un diodo de recuperación rápida (FRD) integrado, lo que proporciona bajas pérdidas de conducción, excelente velocidad de conmutación y alta eficiencia. Su encapsulado TO-220FL totalmente aislado facilita el montaje sobre disipadores sin necesidad de aislantes adicionales.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | RJH30E2 |
| Fabricante | Renesas Electronics |
| Tipo | IGBT Canal N |
| Tecnología | Trench Gate |
| Encapsulado | TO-220FL totalmente aislado |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 360 V |
| Corriente de Colector (IC) | 30 A |
| Corriente pico de colector | 200 A |
| Voltaje Gate-Emitter (VGES) | ±30 V |
| Potencia de disipación | 20 W |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 1.5 V típico |
| Tiempo de subida (tr) | 80 ns típico |
| Tiempo de caída (tf) | 150 ns típico |
| Corriente de fuga ICES | 1 µA máx. |
| Diodo FRD integrado | Sí |
| Voltaje directo del diodo | 1.4 V típico |
| Temperatura de operación | -55 °C a +150 °C |
