TRANSISTOR BJT B1366 PNP 80V 4A TRAN2SB1366
SKU: TRAN2SB1366
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Transistor BJT PNP 2SB1366 / B1366 80V 4A Encapsulado TO-220F
El 2SB1366 (B1366) es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo PNP de potencia media, diseñado para aplicaciones de amplificación de audio, conmutación y regulación de potencia. Su encapsulado totalmente aislado TO-220F facilita el montaje sobre disipadores sin necesidad de aislantes adicionales, ofreciendo excelente estabilidad térmica, alta confiabilidad y baja distorsión.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SB1366 (B1366) |
| Tipo | Transistor BJT de potencia |
| Polaridad | PNP |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | TO-220F (Fully Molded) |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | -80 V |
| Voltaje colector-base (VCBO) | -80 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | -5 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | -4 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 30 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 70 a 240 |
| Frecuencia de transición (fT) | 50 MHz (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | ≤ 0.5 V |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Número de terminales | 3 |
