TRANSISTOR BJT 2SB755 PNP 150V 12A TRAN2SB755
SKU: TRAN2SB755
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Transistor BJT PNP 2SB755 150V 12A Encapsulado TO-3P
El 2SB755 (B755) es un transistor bipolar de unión (BJT) PNP de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta corriente. Soporta hasta 150 V de tensión colector-emisor y una corriente continua de 12 A, ofreciendo excelente estabilidad térmica, alta confiabilidad y baja saturación. Su encapsulado TO-3P permite una eficiente disipación del calor, siendo ampliamente utilizado en amplificadores de audio, fuentes de alimentación, reguladores e inversores.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SB755 / B755 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | PNP |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | TO-3P |
| Montaje | Through Hole (Orificio pasante) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | -150 V |
| Voltaje colector-base (VCBO) | -180 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | -5 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | -12 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 100 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 40 a 140 |
| Frecuencia de transición (fT) | 8 MHz (típica) |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
