TRANSISTOR 2SC2792=NTE2309=C3153 BJT NPN 850-800V 2A 80W TO247
SKU: TRAN2SC2792
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El 2SC2792 es un transistor bipolar NPN de potencia en silicio, desarrollado por Toshiba para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad. Está diseñado específicamente para trabajar en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC de alta frecuencia y circuitos de regulación de voltaje, donde se requiere un transistor capaz de soportar altos voltajes con tiempos de conmutación muy reducidos y baja disipación de energía.
https://alltransistors.com/adv/pdfview.php?doc=2sc2792.pdf&dire=_toshiba
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Tipo | Transistor bipolar de potencia (BJT) |
| Polaridad | NPN |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | TO-247 (Through Hole) |
| Montaje | THT (Through Hole) |
| Aplicación principal | Fuentes conmutadas, reguladores switching y convertidores DC-DC |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 850 V |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 800 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 7 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 2 A continua |
| Corriente pico de colector (ICM) | 4 A |
| Corriente máxima de base (IB) | 1 A |
| Potencia máxima de disipación | 80 W (Tc = 25 °C) |
| Ganancia de corriente (hFE) | 10 mínimo |
| Voltaje de saturación Colector-Emisor VCE(sat) | 1.0 V máx. (@ IC = 0.5 A) |
| Voltaje Base-Emisor VBE(sat) | 1.5 V máx. |
| Tiempo de subida (tr) | 1.0 µs máx. |
| Tiempo de almacenamiento (tstg) | 4.0 µs máx. |
| Tiempo de caída (tf) | 1.0 µs máx. |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
