TRANSISTOR 2SC756 Amplificador de potencia RF NPN 60V 4A 10W TO-5
El 2SC756 (también identificado como 2SC756A en algunas versiones) es un transistor bipolar NPN de silicio tipo APM (Advanced Passivated Mesa) diseñado para amplificación de potencia en radiofrecuencia (RF) y aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Fue desarrollado por Sony para operar eficientemente en la banda de 27 MHz, siendo ampliamente utilizado en transmisores de banda ciudadana (CB), equipos de comunicación, amplificadores RF y etapas excitadoras de transmisores.
Destaca por su alta frecuencia de transición, buena ganancia de potencia y capacidad para manejar corrientes elevadas, lo que lo convierte en una excelente opción para etapas finales de RF de baja potencia. El encapsulado metálico TO-5 favorece la disipación térmica y el desempeño en alta frecuencia.
https://alltransistors.com/adv/pdfview.php?doc=2sc756.pdf&dire=_sony
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SC756 / 2SC756A |
| Tipo | Transistor Bipolar (BJT) |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicio APM (Advanced Passivated Mesa) |
| Aplicación principal | Amplificador de potencia RF |
| Encapsulado | TO-5 metálico |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100 V |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 4 A |
| Corriente máxima de base (IB) | 0.8 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 10 W |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | −65 °C a +200 °C |
