TRANSISTOR MTP34NB20 = W34NB20

TRANSISTOR MTP34NB20=W34NB20 MOSFET CANAL N 200V 34A
•Tipo de transistor: MOSFET de canal N
•Encapsulado: TO-247 (para aplicaciones de alta potencia y mejor disipación térmica)
•Tensión drenador-fuente (Vds): 200 V (máxima)
•Corriente de drenador (Id): 34 A (máxima)
•Resistencia drenador-fuente (Rds(on)): Aproximadamente 0.065 Ω (típica)
•Tensión de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2 - 4 V
•Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V (máxima)
•Capacidad de disipación de potencia (Ptot): Alrededor de 330 W (con disipador adecuado)
•Frecuencia de conmutación: Adecuado para conmutación rápida en aplicaciones de alta frecuencia.