TRANSISTOR BJT 2SC5200 NPN 230V 15A TRAN2SC5200
Transistor BJT 2SC5200 NPN 230V 15A Encapsulado TO-3P(L)
El 2SC5200 es uno de los transistores bipolares de potencia (BJT) tipo NPN más utilizados en el mercado para amplificadores de audio Hi-Fi y equipos profesionales. Fabricado originalmente por Toshiba con tecnología de triple difusión de silicio, ofrece alta linealidad, baja distorsión, excelente respuesta en frecuencia y gran capacidad de manejo de corriente, siendo ideal para etapas finales de amplificadores de 100 W o más.
Su encapsulado TO-3P(L) proporciona una excelente disipación térmica, permitiendo operar con potencias elevadas cuando se instala sobre un disipador adecuado. Es el transistor complementario del 2SA1943, formando una de las parejas más populares en amplificadores de alta fidelidad.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SC5200 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicio Triple Difusión |
| Encapsulado | TO-3P(L) |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 230 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 230 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 5 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 15 A |
| Corriente máxima de base (IB) | 1.5 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 150 W (Tc = 25 °C) |
| Ganancia de corriente (hFE) | 55 – 160 |
| Frecuencia de transición (fT) | 30 MHz (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 0.4 V típica / 3.0 V máx. |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Transistor complementario | 2SA1943 |
