TRANSISTOR BJT C2625 NPN 400V 10A TRAN2SC2625
Transistor BJT 2SC2625 NPN 400V 10A Encapsulado TO-3P
El 2SC2625 es un transistor bipolar de unión (BJT) de potencia tipo NPN, fabricado con tecnología de silicio epitaxial y diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Soporta hasta 400 V de voltaje colector-emisor y 10 A de corriente de colector, ofreciendo un excelente desempeño en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, balastros electrónicos, equipos industriales y sistemas de conversión de energía.
Su encapsulado TO-3P proporciona una elevada capacidad de disipación térmica, permitiendo trabajar con altas potencias cuando se instala sobre un disipador adecuado. Es uno de los transistores más utilizados en fuentes de alimentación de televisores, monitores, UPS y equipos electrónicos de potencia.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SC2625 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicio epitaxial |
| Encapsulado | TO-3P |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 400 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 700 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 9 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 10 A |
| Corriente de pulso (ICP) | 20 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 80 W (Tc = 25 °C) |
| Ganancia de corriente (hFE) | 8 – 40 |
| Frecuencia de transición (fT) | 4 MHz (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 1.5 V típica |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
