TRANSISTOR BJT D2499 NPN 600V 6A TRAN2SD2499
Transistor BJT 2SD2499 NPN 600V 6A Encapsulado TO-3P con diodo damper integrado
El 2SD2499 es un transistor bipolar de potencia (BJT) tipo NPN, diseñado específicamente para etapas de salida horizontal (HOT) en televisores CRT a color y aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Incorpora un diodo damper (recuperación rápida) integrado, lo que reduce el número de componentes externos y mejora la eficiencia del circuito de deflexión horizontal.
Fabricado con tecnología Silicon Triple Diffused Mesa, ofrece alta velocidad de conmutación, baja tensión de saturación y una elevada capacidad para soportar picos de tensión de hasta 1500 V entre colector y base, siendo ideal para fuentes flyback, generadores de alto voltaje, televisores CRT, monitores y equipos industriales.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD2499 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicon Triple Diffused Mesa |
| Encapsulado | TO-3P (Toshiba 2-16E3A) |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Diodo integrado | Sí (Damper Diode) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 1500 V |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 600 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 5 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 6 A |
| Corriente máxima de pulso (ICP) | 12 A |
| Corriente máxima de base (IB) | 3 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 50 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 8 – 40 |
| Tiempo de caída (tf) | 0.3 μs (típico) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 5 V máximo |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
