TRANSISTOR BJT D2580 NPN 800V 10A TRAN2SD2580
SKU: TRAN2SD2580
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Transistor BJT 2SD2580 NPN 800V 10A Encapsulado TO-3P con diodo damper integrado
El 2SD2580 es un transistor bipolar de potencia (BJT NPN) de alta velocidad, desarrollado para aplicaciones de salida horizontal (HOT) en televisores CRT, fuentes conmutadas y circuitos de alta tensión. Integra un diodo damper de recuperación rápida, lo que mejora la eficiencia del circuito y reduce la cantidad de componentes externos. Gracias a su elevada capacidad de manejo de corriente y alto voltaje de ruptura, es una excelente opción para equipos electrónicos industriales y de consumo que operan bajo condiciones exigentes.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD2580 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Triple Diffused Planar Silicon |
| Encapsulado | TO-3PML / TO-3P |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Diodo integrado | Sí (Damper Diode) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 1500 V |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 800 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 10 A |
| Corriente máxima de pulso (ICP) | 30 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 70 W (Tc = 25 °C) |
| Tecnología de fabricación | HVP Process + MBIT Process |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
