TRANSISTOR BJT D2645 NPN 800V 10A TRAN2SD2645
SKU: TRAN2SD2645
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Transistor BJT 2SD2645 NPN 800V 10A Alta Velocidad con Diodo Damper Integrado TO-3P
El 2SD2645 es un transistor bipolar de potencia (BJT NPN) diseñado para aplicaciones de alta tensión y alta velocidad de conmutación. Incorpora un diodo damper de recuperación rápida, ideal para etapas de salida horizontal (HOT) en televisores CRT, fuentes de alimentación conmutadas y equipos electrónicos de potencia. Su encapsulado TO-3P proporciona una excelente disipación térmica y una elevada confiabilidad en aplicaciones industriales y de servicio continuo.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD2645 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Material | Silicio |
| Encapsulado | TO-3P / TO-3PMLH |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Diodo integrado | Sí (Damper Diode) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 1500 V |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 800 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 5 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 10 A |
| Corriente máxima de pulso (ICP) | 25 A |
| Potencia máxima de disipación | 80 W (Tc = 25 °C) |
| Ganancia DC (hFE) | 5 – 15 |
| Tiempo de caída (tf) | 0.3 µs (típico) |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
