TRANSISTOR BJT B827 PNP 50V 7A TRAN2SB827
SKU: TRAN2SB827
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Transistor BJT 2SB827 PNP 50V 7A Encapsulado TO-3P
El 2SB827 (B827) es un transistor bipolar de potencia (BJT) tipo PNP, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y amplificación de potencia. Destaca por su baja tensión de saturación (VCE(sat)), amplia área de operación segura (ASO) y capacidad para manejar hasta 7 A, lo que lo hace ideal para fuentes de alimentación, inversores, controladores de motores, relevadores, solenoides y amplificadores de audio.
Su encapsulado TO-3P (TO-3PB) ofrece una excelente disipación térmica, permitiendo operar de forma confiable en aplicaciones de potencia cuando se instala sobre un disipador adecuado. Es el complemento PNP del transistor 2SD1063.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SB827 |
| Marcado | B827 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | PNP |
| Tecnología | Silicio epitaxial planar |
| Encapsulado | TO-3P / TO-3PB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | 1 Base - 2 Colector - 3 Emisor |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -50 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -60 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | -6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | -7 A |
| Corriente de pulso (ICP) | -14 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 60 W (Tc = 25 °C) |
| Ganancia de corriente (hFE) | 60 a 320 (según clasificación y corriente) |
| Frecuencia de transición (fT) | 10 MHz (típica) |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 0.4 V máx. |
| Temperatura de unión | Hasta 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
