TRANSISTOR BJT D1137 NPN 100V 4A TRAN2SD1137
Transistor BJT 2SD1137 NPN 100V 4A Encapsulado TO-220AB
El 2SD1137 es un transistor bipolar de potencia (BJT) tipo NPN, fabricado con tecnología Silicon NPN Triple Diffused, diseñado para aplicaciones de amplificación de baja frecuencia y salida de deflexión vertical en televisores CRT, así como para circuitos de potencia de propósito general. Su construcción proporciona buena estabilidad térmica, alta confiabilidad y excelente capacidad para operar con cargas inductivas.
Gracias a su encapsulado TO-220AB, ofrece una adecuada disipación térmica al utilizar un disipador de calor. Es ampliamente utilizado en amplificadores de audio, etapas de salida vertical, fuentes de alimentación, reguladores lineales y equipos electrónicos industriales. Su transistor complementario es el 2SB860 (PNP).
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD1137 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Silicon NPN Triple Diffused |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 100 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 4 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 4 A |
| Corriente máxima de pulso (ICP) | 5 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 40 W (Tc = 25 °C) |
| Potencia de disipación al aire | 1.8 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 50 – 250 |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 1.0 V máx. |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -45 °C a +150 °C |
| Transistor complementario | 2SB860 (PNP) |
