TRANSISTOR MOSFET IRF540N CANAL N 100V 33A TRANIRF540
SKU: TRANIRF540
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Transistor MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A Encapsulado TO-220AB
El IRF540N es un MOSFET de potencia Canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de media y alta potencia. Gracias a su baja resistencia de conducción (RDS(on) de 0.040 Ω) y su capacidad para manejar hasta 33 A de corriente continua y 100 V entre drenador y fuente, ofrece alta eficiencia y baja disipación de calor. Es ampliamente utilizado en fuentes conmutadas, inversores, controladores de motores, UPS, cargadores de baterías, amplificadores y sistemas de automatización industrial. Su encapsulado TO-220AB facilita el montaje con disipadores para un excelente desempeño térmico.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | IRF540N |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | N |
| Tecnología | MOSFET de enriquecimiento |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDS) | 100 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGS) | ±20 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 33 A (Tc = 25 °C) |
| Corriente pulsante (IDM) | 110 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 150 W |
| Resistencia RDS(on) | 0.040 Ω máx. (@ VGS = 10 V) |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 2 a 4 V |
| Carga total de compuerta (Qg) | 41 nC (típ.) |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 1220 pF |
| Temperatura de operación | -55 °C a +175 °C |
| Resistencia térmica unión-carcasa | 1.25 °C/W |
