TRANSISTOR MOSFET K3561 CANAL N 500V 8A TRAN2SK3561
SKU: TRAN2SK3561
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Transistor MOSFET K3561 Canal N 500V 8A Encapsulado TO-220F
El 2SK3561 (K3561) es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Incorpora una baja resistencia de conducción (RDS(on)), excelente velocidad de conmutación y alta capacidad de disipación, lo que lo hace ideal para fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC, inversores, UPS y equipos industriales. Su encapsulado TO-220F totalmente aislado facilita el montaje sobre disipadores sin necesidad de mica aislante.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SK3561 / K3561 |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Polaridad | Canal N |
| Tecnología | Enhancement Mode |
| Encapsulado | TO-220F (SC-67) totalmente aislado |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDS) | 500 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGS) | ±30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 8 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 32 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 40 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 0.75 Ω |
| Resistencia RDS(on) máxima | 0.85 Ω |
| Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)) | 2.0 a 4.0 V |
| Transconductancia (Yfs) | 6.5 S típica |
| Energía de avalancha (EAS) | 312 mJ |
| Corriente de fuga (IDSS) | 100 μA máx. |
| Temperatura de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
| Configuración de terminales | Gate – Drain – Source (G-D-S) |
