TRANSISTOR IGBT 30F124 CANAL N 300V 200A TRAN30F124
SKU: TRAN30F124
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Transistor IGBT 30F124 Canal N 300V 200A Encapsulado TO-220SIS
El 30F124 (GT30F124) es un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alto desempeño, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y media tensión. Combina la alta impedancia de entrada de un MOSFET con la baja caída de tensión en conducción de un transistor bipolar, ofreciendo excelente eficiencia, bajas pérdidas y rápida velocidad de conmutación. Es ideal para fuentes de alimentación, inversores, calentadores por inducción, UPS y equipos electrónicos de potencia.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | GT30F124 / 30F124 |
| Tipo | IGBT de potencia |
| Polaridad | Canal N |
| Tecnología | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| Encapsulado | TO-220SIS |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 300 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 200 A (pulsada) |
| Corriente nominal de trabajo | 30 A (continua, según condiciones de disipación) |
| Voltaje Gate-Emitter (VGE) | ±20 V |
| Baja caída de tensión VCE(sat) | Sí |
| Alta velocidad de conmutación | Sí |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Configuración de terminales | Gate – Collector – Emitter (G-C-E) |
