TRANSISTOR MOSFET TK8A50D CANAL N 500V 8A TRANMTP8A50D
SKU: TRANMTP8A50D
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Transistor MOSFET TK8A50D Canal N 500V 8A Encapsulado TO-220SIS
El TK8A50D de Toshiba es un MOSFET de potencia Canal N desarrollado con tecnología π-MOS VII, optimizado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Ofrece baja resistencia en conducción, rápida velocidad de conmutación y excelente desempeño en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores de potencia, inversores y equipos industriales. Su encapsulado TO-220SIS facilita la disipación térmica mediante disipador, siendo una solución confiable para aplicaciones de media y alta potencia.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | TK8A50D |
| Fabricante | Toshiba Electronic Devices |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Tecnología | π-MOS VII |
| Canal | N-Channel (Canal N) |
| Encapsulado | TO-220SIS |
| Montaje | Orificio pasante (Through Hole) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDSS) | 500 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 8 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 32 A |
| Voltaje compuerta-fuente (VGSS) | ±30 V |
| Potencia máxima de disipación | 40 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 0.70 Ω |
| Resistencia RDS(on) máxima | 0.85 Ω |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 2.0 a 4.0 V |
| Carga total de compuerta (Qg) | 16 nC típica |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 800 pF típica |
| Energía de avalancha (EAS) | 165 mJ |
| Temperatura de operación | -55 °C a +150 °C |
