TRANSISTOR MOSFET TK12A60U CANAL N 600V TRANMTP12A60U 12A
SKU: TRANMTP12A60U
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Transistor MOSFET TK12A60U Canal N 600V 12A Encapsulado TO-220SIS
El TK12A60U es un transistor MOSFET de potencia de Canal N fabricado por Toshiba, desarrollado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y alto voltaje. Utiliza tecnología DTMOS II, que proporciona una baja resistencia en conducción (RDS(on)), reducidas pérdidas de conmutación y excelente desempeño térmico. Soporta hasta 600 V de voltaje drenador-fuente y 12 A de corriente continua, siendo ideal para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, UPS, convertidores DC-DC y equipos industriales. Su encapsulado TO-220SIS con aislamiento facilita el montaje sobre disipadores de calor.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | TK12A60U |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | N-Channel (Canal N) |
| Tecnología | DTMOS II |
| Encapsulado | TO-220SIS (TO-220 Full Pack) |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDSS) | 600 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGSS) | ±30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 12 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 24 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 35 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 0.36 Ω |
| Transconductancia (Yfs) | 7.0 S (típ.) |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 3.0 a 5.0 V |
| Corriente de fuga (IDSS) | 100 µA máx. |
| Energía de avalancha (EAS) | 69 mJ |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
