TRANSISTOR MOSFET TK6P60W CANAL N SMD 600V 6.2A
SKU: TRANMTP6P60W
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Transistor MOSFET TK6P60W Canal N 600V 6.2A SMD DPAK (TO-252)
El TK6P60W es un MOSFET de potencia Canal N de Toshiba, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC, inversores y equipos industriales. Fabricado con tecnología DTMOS IV, ofrece una excelente combinación de baja resistencia en conducción, rápida velocidad de conmutación y reducidas pérdidas, mejorando la eficiencia energética en aplicaciones de alto voltaje. Su encapsulado DPAK (TO-252) para montaje superficial (SMD) facilita diseños compactos con buena disipación térmica.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | TK6P60W |
| Fabricante | Toshiba |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Tecnología | DTMOS IV |
| Canal | N-Channel (Canal N) |
| Encapsulado | DPAK (TO-252) SMD |
| Montaje | Superficial (SMD) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDSS) | 600 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGSS) | ±30 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 6.2 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 24.8 A |
| Potencia máxima de disipación | 60 W |
| Resistencia RDS(on) máx. | 0.82 Ω |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 2.7 a 3.7 V |
| Carga total de compuerta (Qg) | 12 nC típica |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 390 pF típica |
| Temperatura de operación | -55 °C a +150 °C |
