TRANSISTOR MOSFET TK7P60W CANAL N SMD 600V 7A TRANMTP7P60W
SKU: TRANMTP7P60W
$50.00Precio
IVA incluido
Transistor MOSFET TK7P60W Canal N 600V 7A SMD DPAK (TO-252)
El TK7P60W de Toshiba es un MOSFET de potencia Canal N desarrollado con tecnología DTMOS™ IV Super Junction, diseñada para ofrecer alta eficiencia en aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Su baja resistencia de conducción, reducida carga de compuerta y rápidas características de conmutación lo convierten en una excelente opción para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastros electrónicos, cargadores, inversores y convertidores de potencia. Su encapsulado DPAK (TO-252) SMD permite diseños compactos con excelente disipación térmica.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | TK7P60W |
| Fabricante | Toshiba Electronic Devices |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Tecnología | DTMOS™ IV Super Junction |
| Canal | N-Channel (Canal N) |
| Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Montaje | Superficial (SMD) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDSS) | 600 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | 7 A |
| Corriente de pulso (IDP) | 28 A |
| Voltaje compuerta-fuente (VGSS) | ±30 V |
| Potencia máxima de disipación | 60 W |
| Resistencia RDS(on) típica | 0.50 Ω |
| Resistencia RDS(on) máxima | 0.60 Ω |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | 2.7 a 3.7 V |
| Carga total de compuerta (Qg) | 15 nC típica |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 490 pF típica |
| Temperatura de operación | -55 °C a +150 °C |
