TRANSISTOR MOSFET IRF9540N CANAL P 100V 23A TRANIRF9540N
SKU: TRANIRF9540N
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Transistor MOSFET IRF9540N Canal P 100V 23A Encapsulado TO-220AB
El IRF9540N es un MOSFET de potencia Canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y control de cargas de potencia. Soporta un voltaje drenador-fuente de hasta -100 V y una corriente continua de -23 A, ofreciendo una baja resistencia de conducción de 117 mΩ, lo que reduce las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia del sistema. Su encapsulado TO-220AB permite la instalación de disipadores térmicos, siendo ideal para fuentes conmutadas, inversores, controladores de motores, UPS, convertidores DC-DC y aplicaciones industriales.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | IRF9540N |
| Tipo | MOSFET de Potencia |
| Canal | P |
| Tecnología | HEXFET® Power MOSFET |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Número de terminales | 3 |
| Voltaje drenador-fuente (VDS) | -100 V |
| Voltaje compuerta-fuente (VGS) | ±20 V |
| Corriente continua de drenador (ID) | -23 A (Tc = 25 °C) |
| Corriente continua a 100 °C | -16 A |
| Corriente pulsante (IDM) | -76 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 140 W |
| Resistencia RDS(on) | 117 mΩ máx. |
| Voltaje umbral de compuerta VGS(th) | -2 a -4 V |
| Carga total de compuerta (Qg) | 64.7 nC (típ.) |
| Carga puerta-drenador (Qgd) | 34 nC |
| Temperatura de operación | -55 °C a +175 °C |
| Resistencia térmica unión-carcasa | 1.1 °C/W |
