NTE2309
SKU: NTE2309
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El NTE2309 es un transistor bipolar NPN de silicio de alta tensión y alta corriente, diseñado para aplicaciones de conmutación rápida en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, equipos industriales y circuitos de potencia. Su capacidad para soportar hasta 800 V y 12 A lo hace adecuado para trabajar en sistemas de alto voltaje donde se requiere una alta confiabilidad y una amplia Área Segura de Operación (ASO). Además, ofrece tiempos de conmutación rápidos que ayudan a reducir las pérdidas de potencia durante el funcionamiento.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Tipo | Transistor bipolar (BJT) |
| Polaridad | NPN |
| Material | Silicio |
| Aplicación | Conmutación de alta tensión y alta corriente |
| Encapsulado | TO-3P (THT) |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Voltaje colector-base (VCBO) | 900 V |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | 800 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | 7 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 12 A continua |
| Corriente de colector pico | 25 A (pulso) |
| Corriente máxima de base (IB) | 4 A |
| Potencia de disipación (TC = 25 °C) | 100 W |
| Potencia de disipación (TA = 25 °C) | 2.5 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 10 mínimo @ IC = 0.4 A, VCE = 5 V |
| Frecuencia de transición (fT) | 15 MHz típica |
| Voltaje de saturación Colector-Emisor VCE(sat) | 2.0 V máx. |
| Voltaje Base-Emisor VBE(sat) | 1.5 V máx. |
| Capacitancia de salida (Cob) | 120 pF típica |
| Tiempo de encendido (ton) | 1.0 µs máx. |
| Tiempo de almacenamiento (tstg) | 3.0 µs máx. |
| Tiempo de caída (tf) | 0.7 µs máx. |
| Temperatura de unión | +150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
