NTE2321 Arreglo de 4 transistores NPN de silicio DIP-14
SKU: NTE2321
$80.00Precio
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El NTE2321 es un circuito integrado que integra cuatro transistores NPN de propósito general (Quad NPN Transistor Array) en un solo encapsulado DIP, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de baja potencia. Su integración permite reducir espacio en la tarjeta, simplificar el diseño y disminuir el número de componentes discretos.
Es ampliamente utilizado en equipos electrónicos, instrumentación, interfaces lógicas, sistemas de control, amplificadores de señal, control de relevadores, LEDs, circuitos TTL/CMOS y aplicaciones industriales de propósito general.
https://www.alldatasheet.es/html-pdf/9943/NTE/NTE2321/38/1/NTE2321.html
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Tipo | Arreglo de 4 transistores NPN de silicio |
| Tecnología | Bipolar (BJT) |
| Número de transistores | 4 NPN independientes |
| Aplicación | Conmutación y amplificación de propósito general |
| Encapsulado | DIP-14 (PDIP de 14 pines) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 30 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 5 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 500 mA por transistor |
| Potencia máxima de disipación | 1.9 W total del encapsulado (≈650 mW por transistor dependiendo de las condiciones térmicas) |
| Frecuencia de transición (fT) | 350 MHz (típica) |
| Ganancia de corriente (hFE) | Alta ganancia para aplicaciones de propósito general |
| Material | Silicio |
| Polaridad | NPN |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Temperatura de operación | -55 °C a +150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
