TRANSISTOR BJT D1651 NPN 1500V 6A TRAN2SD1651
Transistor BJT 2SD1651 NPN 1500V 5A Encapsulado TO-3PML con diodo damper integrado
El 2SD1651 es un transistor bipolar de potencia (BJT) tipo NPN, diseñado específicamente para etapas de salida horizontal (HOT) en televisores CRT de color y aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Incorpora un diodo damper de recuperación rápida, lo que reduce el número de componentes externos y mejora la eficiencia del circuito de deflexión horizontal.
Fabricado con tecnología Triple Diffused Planar Silicon, soporta tensiones de hasta 1500 V, corriente continua de 5 A y alta velocidad de conmutación. Su encapsulado TO-3PML proporciona una excelente disipación térmica, haciéndolo ideal para televisores CRT, monitores, fuentes flyback, generadores de alto voltaje y equipos electrónicos industriales.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD1651 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | Triple Diffused Planar Silicon |
| Encapsulado | TO-3PML |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Diodo integrado | Sí (Damper Diode) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 1500 V |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 1500 V* |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 5 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 50 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 8 – 40 |
| Frecuencia de transición (fT) | 3 MHz |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 5 V máx. |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -55 °C a +150 °C |
