TRANSISTOR BJT D1047 NPN 140V 12A TRAN2SD1047
Transistor BJT 2SD1047 NPN 140V 12A Encapsulado TO-3P
El 2SD1047 es un transistor bipolar de unión (BJT) de potencia tipo NPN, desarrollado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación de alta potencia. Fabricado con tecnología BiT-LA (Bipolar Transistor for Linear Amplifier), ofrece una excelente linealidad de ganancia, estabilidad térmica y confiabilidad, siendo ampliamente utilizado en amplificadores de audio, fuentes de alimentación, inversores y equipos industriales.
Su encapsulado TO-3P proporciona una eficiente disipación de calor, permitiendo trabajar con altas corrientes cuando se instala sobre un disipador adecuado. Es el complemento PNP del 2SB817, formando una pareja muy utilizada en etapas de salida de amplificadores de potencia.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2SD1047 |
| Tipo | Transistor BJT de Potencia |
| Polaridad | NPN |
| Tecnología | BiT-LA (Bipolar Transistor for Linear Amplifier) |
| Encapsulado | TO-3P |
| Montaje | Through Hole (THT) |
| Configuración de terminales | Base - Colector - Emisor (B-C-E) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 140 V |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 200 V |
| Voltaje Emisor-Base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 12 A |
| Corriente de pulso (ICM) | 20 A |
| Potencia máxima de disipación (Pc) | 100 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 60 – 180 |
| Frecuencia de transición (fT) | 20 MHz |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 0.7 V típica (máx. aprox. 1.5 V) |
| Resistencia térmica unión-carcasa | 1.25 °C/W |
| Temperatura máxima de unión | 150 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -65 °C a +150 °C |
| Transistor complementario | 2SB817 (PNP) |
