TRANSISTOR BJT 2N3055G NPN 60V 15A TRAN2N3055G
SKU: TRAN2N3055G
$330.00Precio
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DAME ESPECIFICACION COMERCIAL DESCRIPCION TECNICA Y PESO
Descripción Comercial
Transistor BJT NPN 2N3055G 60 V 15 A Encapsulado TO-3
El 2N3055G es un transistor bipolar de potencia tipo NPN, ampliamente utilizado en fuentes de alimentación, amplificadores de audio, reguladores de voltaje, inversores y equipos industriales. Su alta capacidad de corriente y disipación térmica lo convierten en uno de los transistores de potencia más confiables para aplicaciones de conmutación y amplificación de media y alta potencia.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2N3055G |
| Tipo | Transistor BJT de potencia |
| Polaridad | NPN |
| Encapsulado | TO-3 metálico |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | 60 V |
| Voltaje colector-base (VCBO) | 100 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | 7 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 15 A |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 115 W |
| Ganancia de corriente (hFE) | 20 a 70 |
| Frecuencia de transición (fT) | 2.5 MHz típica |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 1.1 V típico |
| Temperatura de operación | -65 °C a +200 °C |
| Material | Silicio |
| Montaje | Tornillos sobre disipador |
| Número de terminales | 2 terminales + encapsulado metálico (colector) |
