TRANSISTOR BJT 2N5551BU NPN 160V 0.6A TRAN2N5551BU
SKU: TRAN2N5551BU
$30.00Precio
IVA incluido
Transistor BJT NPN 2N5551BU 160 V 600 mA Encapsulado TO-92
El 2N5551BU es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de alta tensión, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación donde se requieren elevados voltajes de operación y excelente estabilidad. Gracias a su capacidad para soportar hasta 160 V entre colector y emisor, es ideal para fuentes de alimentación, amplificadores de audio, circuitos de control, instrumentación y equipos electrónicos industriales.
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | 2N5551BU |
| Tipo | Transistor BJT NPN de alta tensión |
| Encapsulado | TO-92 |
| Polaridad | NPN |
| Voltaje colector-emisor (VCEO) | 160 V |
| Voltaje colector-base (VCBO) | 180 V |
| Voltaje emisor-base (VEBO) | 6 V |
| Corriente máxima de colector (IC) | 600 mA |
| Potencia máxima de disipación (PD) | 625 mW |
| Ganancia de corriente (hFE) | 40 a 300 |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz típica |
| Voltaje de saturación VCE(sat) | 0.2 a 0.5 V típico |
| Temperatura de operación | -55 °C a +150 °C |
| Material semiconductor | Silicio |
| Número de terminales | 3 (Emisor, Base y Colector) |
